AO3416A-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装技术，额定电压20V，具备6.5A大电流处理能力。具有出色的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、可靠的功率控制。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AO3416A-HXY商品编号
C4748720商品封装
SOT-23-3L包装方式
编带
商品毛重
0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@4.5V,6.5A | |
| 功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 660pF@10V |
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