温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3416A-HXY
耐压:20V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装技术，额定电压20V，具备6.5A大电流处理能力。具有出色的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，实现高效、可靠的功率控制。
- 商品型号
- AO3416A-HXY
- 商品编号
- C4748720
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
SI2301-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源