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BC856BDW1T1G
双PNP塑料封装晶体管
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- 描述
- 该三极管采用双PNP结构，具有较高的直流电流增益（HFE）特性，范围在200至450之间，适用于精确信号放大与电流控制。集电极电流（IC）为0.1A，集电极-发射极耐压（VCEO）达65V，具备良好的电压承受能力。其特征频率（FT）高达100MHz，支持高频信号处理，适合用于高速开关和射频信号放大等场景。器件组合设计节省空间，广泛应用于通信设备、消费类电子产品中的信号切换、驱动控制及小功率放大电路。
- 商品型号
- BC856BDW1T1G
- 商品编号
- C50177018
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021477克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 450@2mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@100mA,5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品特性
- 单封装双晶体管
- 减少元件数量和电路板空间
- 晶体管之间无相互干扰