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RCLAMP3374N.TCT
TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：25A@8/20us
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- 描述
- RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- RCLAMP3374N.TCT
- 商品编号
- C512373
- 商品封装
- SMD,3x2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 18V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 25A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 1kW | |
| 击穿电压 | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 5pF |
商品概述
RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。 独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。 RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。 RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。
商品特性
- 符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，为高速数据线提供瞬态保护：±30kV（空气）、±30kV（接触）；符合IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准：40A（5/50ns）；符合IEC 61000 - 4 - 5（雷击）标准：40A（8/20μs）
- 集成浪涌额定二极管阵列和内部TVS二极管
- 通过AEC - Q100 1级认证（-45至+125℃）
- 最多可保护八条线路
- 适用于高速接口的低电容
- 电容随偏置电压的变化小
- 低箝位电压
- 低工作电压：3.3V
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 10/100/1000以太网
- 汽车领域
- 中心局设备
- LVDS接口
- 磁性插孔/集成磁体
- 笔记本电脑/台式机/服务器