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UCLAMP3311Z.TFT

ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

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描述: μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具备板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。μAClamp33112采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低耐受电压，并显著降低泄漏电流和电容。与传统的pn结器件相比，它们的实际工作电压为3.3伏，可提供更出色的保护。μClamp3311Z采用2引脚SLP0603P2X3A封装。其尺寸为0.62×0.32毫米，标称高度仅为0.25毫米。引脚采用无铅镍金镀层。每个器件可保护一条工作电压为3.3伏的线路。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护单条线路。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和平板电脑。
品牌名称: SEMTECH
商品型号: UCLAMP3311Z.TFT
商品编号: C512390
商品封装: 0201
包装方式: 编带
商品毛重: 0.011克(g)

商品参数

商品概述

μClamp TVS二极管旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。这些器件具备板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。 μAClamp33112采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低耐受电压，并显著降低泄漏电流和电容。与传统的pn结器件相比，它们的实际工作电压为3.3伏，可提供更出色的保护。 μClamp3311Z采用2引脚SLP0603P2X3A封装。其尺寸为0.62×0.32毫米，标称高度仅为0.25毫米。引脚采用无铅镍金镀层。每个器件可保护一条工作电压为3.3伏的线路。这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护单条线路。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和平板电脑。

商品特性

高ESD耐受电压：根据IEC 61000 - 4 - 2标准，接触放电为+/-74kV，空气放电为+/-16kV
根据IEC61000 - 4 - 2 4级标准，能够承受超过1000次ESD冲击
超小型0201封装
保护一条数据线
工作电压：+/-3.3V
低电容：典型值6pF
低泄漏电流：典型值<10 nA（VR = 3.3V）
极低动态电阻：典型值0.21 Ω
固态硅雪崩技术

应用领域

手机及配件
键盘、侧键、音频端口
便携式仪器
数字线路
平板电脑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	7.5V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	30W
	击穿电压	3.65V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	50nA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+85℃@(Tj)
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	6pF