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UCLAMP3312T.TCT

TVS 3.3V截止峰值脉冲电流：10A@8/20us

描述: μClamp®3312T TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。其旨在保护敏感的PHY芯片，避免因静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）而受损或出现故障。μClamp3312T采用Semtech的低压EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低工作电压，并显著降低泄漏电流和电容。该器件在偏置下电容变化小，可确保GbE线路稳定运行。这意味着在PHY温度高达120℃（100M Cat 5/5e电缆）的情况下，μClamp3312T不会在GbE接口上引入任何通信帧错误。μClamp3312T还具备高浪涌能力，设计用于放置在磁体和PHY芯片之间。在此配置下，该器件可承受符合Telcordia GR - 1089标准的建筑物内雷击浪涌。μClamp3312T采用8引脚SLP2010N8T封装，尺寸为2.0×1.0×0.4 mm。引脚间距为0.5 mm，采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可保护两对工作在3.3伏的线路。这使设计人员在空间有限的应用中能够灵活地保护多条线路。uClamp3312T尺寸小且易于布局，非常适合用于集成磁体的RJ - 45连接器。
品牌名称: SEMTECH
商品型号: UCLAMP3312T.TCT
商品编号: C512391
商品封装: SLP2010-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.033克(g)

商品参数

商品概述

μClamp®3312T TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。其旨在保护敏感的PHY芯片，避免因静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）而受损或出现故障。 μClamp3312T采用Semtech的低压EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低工作电压，并显著降低泄漏电流和电容。该器件在偏置下电容变化小，可确保GbE线路稳定运行。这意味着在PHY温度高达120℃（100M Cat 5/5e电缆）的情况下，μClamp3312T不会在GbE接口上引入任何通信帧错误。μClamp3312T还具备高浪涌能力，设计用于放置在磁体和PHY芯片之间。在此配置下，该器件可承受符合Telcordia GR - 1089标准的建筑物内雷击浪涌。 μClamp3312T采用8引脚SLP2010N8T封装，尺寸为2.0×1.0×0.4 mm。引脚间距为0.5 mm，采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可保护两对工作在3.3伏的线路。这使设计人员在空间有限的应用中能够灵活地保护多条线路。uClamp3312T尺寸小且易于布局，非常适合用于集成磁体的RJ - 45连接器。

商品特性

高ESD耐受电压：根据IEC 61000 - 4 - 2标准，接触/空气放电为+/-30kV
根据IEC 61000 - 4 - 2 4级标准，可承受超过1000次ESD冲击
直通式设计简化布局
保护两对线路
低反向电流：典型值为10nA（VR = 3.3V）
电容随偏置电压变化小：典型值为1.3pF（VR = 0至3.3V）
工作电压：3.3V
固态硅雪崩技术

应用领域

10/100/1000以太网
集成磁体/RJ - 45连接器
局域网/广域网设备
安防摄像机
工业控制
笔记本电脑和台式电脑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	11V
	峰值脉冲电流(Ipp)	10A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	100W
	击穿电压	3.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	10nA
	通道数	双路
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	4.5pF