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UCLAMP2804L.TCT
ESD 2.8V截止 峰值浪涌电流：10A@8/20us
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- 描述
- μClamp®2804L TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。它们旨在保护敏感的PHY芯片，使其免受静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏或故障影响。
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- UCLAMP2804L.TCT
- 商品编号
- C512389
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.8V | |
| 钳位电压 | 10V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 10A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W | |
| 击穿电压 | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 10nA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 4.5pF |
商品概述
μClamp 2804L TVS二极管专为满足千兆以太网接口的性能要求而设计。它们旨在保护敏感的PHY芯片，防止其因静电放电（ESD）、雷击、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）而损坏或出现故障。 μClamp 2804L采用Semtech的低电压EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低工作电压，并显著降低漏电流和电容。该器件的电容随偏置电压的变化较小，可确保千兆以太网线路稳定运行。这意味着在PHY温度高达100°C（使用100M Cat 5/5e电缆）的情况下，μClamp 2804L不会在千兆以太网接口上引入任何通信帧错误。μClamp 2804L还具有高浪涌能力，可用于在磁性元件PHY侧的应用中替代现有的SLVU2.8 - 4器件。在此配置下，该器件可承受符合Telcordia GR - 1089标准的建筑物内雷击浪涌。 μClamp 2804L采用8引脚SOIC封装，引脚采用无铅哑光镀锡处理。低钳位电压、高浪涌能力和低负载电容的特性组合，使uClamp 2804L成为满足GR - 1089标准防雷要求的千兆以太网系统保护的理想解决方案。
商品特性
- 高ESD耐受电压：根据IEC 61000 - 4 - 2标准，±30 kV（接触/空气）
- 能够承受超过1000次符合IEC 61000 - 4 - 2标准4级的ESD冲击
- 直插式设计简化布局
- 保护两对线路
- 低反向电流：典型值为10nA（VR = 2.8V）
- 电容随偏置电压的变化较小：典型值为1.3pF（VR = 0至2.8V）
- 工作电压：2.8V
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 10/100/1000以太网
- 集成磁性元件/RJ - 45连接器
- 局域网/广域网设备
- 监控摄像头
- 工业控制
- 笔记本电脑和台式电脑