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SRDA3.3-4.TBT
ESD 3.3V截止
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- 描述
- RailClamp TVS 阵列是低电容 ESD 保护器件，旨在保护敏感元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌引起的过电压影响。它们具备适合电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能下降的情况。其独特设计在单个封装中集成了浪涌额定低电容导向二极管和一个 TVS 二极管
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- SRDA3.3-4.TBT
- 商品编号
- C512380
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 击穿电压 | 3.5V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 四路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 15pF |
商品概述
RailClamp TVS阵列是低电容ESD保护器件，旨在保护敏感元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌引起的过电压影响。它们具备板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。 独特的设计在单个封装中集成了浪涌额定低电容转向二极管和TVS二极管。在瞬态条件下，转向二极管通过内部低压TVS将瞬态电流导向地。TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。低电容阵列配置允许用户保护多达四条数据线。 SRDA3.3 - 4采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低关断电压，同时显著降低泄漏电流和电容。它们的实际工作电压为3.3伏，提供卓越的保护性能。这些器件采用8引脚SOIC封装。高浪涌能力（I_PP = 25 A，tp = 8 / 20 μs）意味着它可用于高风险环境，如CO/CPE设备、通信线路和视频线路等应用中。
商品特性
- 为高速数据线提供瞬态保护，满足：
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±15kV（空气放电），±8kV（接触放电）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷击）25A（8/20μs）
- 带有内部TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
- 保护四条I/O线
- 低电容（<15pF）
- 低工作电压：3.3V
- 低钳位电压
- 固态技术
应用领域
-T1/E1二次IC侧保护-T3/E3二次IC侧保护-模拟视频保护-微控制器输入保护-基站-I²C总线保护