温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SM600R65CT9RL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
IRF600R65C是采用先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 7A、650V，RDS（on）（最大值）= 0.6欧姆，VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源