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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE6003M

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A

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商品型号
NCE6003M
商品编号
C502825
商品封装
SOT-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.174克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@4.5V,3A
耗散功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.5nC@30V
输入电容(Ciss@Vds)510pF@30V
反向传输电容(Crss)26pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE30P28Q采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),该器件适用于作为负载开关或用于电源管理。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -30V,漏极电流(ID) = -28A
  • 当栅源电压(VGS) = -10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 9 mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = -4.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 17 mΩ
  • 具备高功率和大电流处理能力
  • 产品无铅
  • 采用表面贴装封装

应用领域

-电源管理-负载开关

数据手册PDF