- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3018W
N沟道MOSFET，采用沟槽功率MOSFET技术，散热封装出色，低导通电阻
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- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2SK3018W
- 商品编号
- C49011260
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- VDS 30V
- ID 0.1A
- RDS(ON)（在Vgs = 10V时）< 8Ω
- 100% EAS测试
- 100% VVds测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器