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AO4612
60V 互补增强型场效应晶体管
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4612
- 商品编号
- C49012079
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1849克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V；75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V；16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF；450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF；35pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；60pF |
商品概述
AO4612采用先进的沟槽技术MOSFET,具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- N沟道 P沟道
- VDS (V) = 60V - 60V
- ID = 5.0A (VGS = 10V) - 3.8A (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 33mΩ (VGS = 10V) < 75mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 4.5V) < 85mΩ (VGS = -4.5V)
- SOIC - 8
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 高频负载点同步
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关