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AO4612
60V 互补增强型场效应晶体管
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4612
- 商品编号
- C49012079
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1849克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V；75mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V；16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF；450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF；35pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；60pF |
商品概述
AO4430是一款采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极充电。
商品特性
- 30V/20A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 4.5mΩ（典型值）
- 30V/15A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 6mΩ（典型值）
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 高频负载点同步
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关