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9926A
N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：芯片采用8英寸晶圆形式。 20V，6A，N沟道。 探针抽样测试。 专有的先进平面技术。 高密度超低电阻设计。 大功率、大电流应用。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 9926A
- 商品编号
- C49012225
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72.69pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95.48pF |
商品概述
采用垂直双扩散MOSFET技术；具备出色的散热封装；采用高密度单元设计以实现低导通电阻RDS(ON)；湿度敏感度等级为1级；环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级；无卤素。
商品特性
- VDs为20V
- D为6A
- RDs(ON)（在Vgs = 4.5V时）小于19.5mΩ
- 经过100% EAS测试
- 经过100% VVDs测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器