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AO4421
60V P沟道MOSFET
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- 描述
- 该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4421
- 商品编号
- C49012417
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1862克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 漏源击穿电压V(BR)DSS = 20V，漏极电流ID = 80A
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 栅源电压VGS = 4.5V时，典型导通电阻RDS(on) = 3mΩ
- 良好的稳定性和一致性
- 散热性能良好的出色封装
- 先进的沟槽技术
- 低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制（PWM）应用
- 电源管理