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AO4826
60V双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4826
- 商品编号
- C49012423
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.198133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
AO4614B采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- N沟道 P沟道
- VDS(V) = 60V -60V
- ID = 5.0A (VGS = 10V) -3.8A (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 33mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 75mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 4.5V)
- RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -4.5V)
- 100%进行Rg测试