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FDS9926A
N沟道 20V 6A
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- 描述
- 是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别适合于将导通状态电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小外形尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDS9926A
- 商品编号
- C49014307
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V；30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF |
商品概述
FDS9926A是一款双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度先进沟槽技术制造,具有出色的RDS(ON)。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,在超小外形的表面贴装封装中,需要低在线功率损耗。
商品特性
- 20V/6.0A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 21mΩ(典型值)
- 20V/5.2A,VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)
- 超设计,极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
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