温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4953
双P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- AO4953 是一款 N 沟道增强型功率效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺特别有助于将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用的电源管理 DC - DC 转换器
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4953
- 商品编号
- C49012083
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.180567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V；36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低导通电阻（Rds(ON)）的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 漏源电压（VDS）： - 30V
- 漏极电流（D）： - 6.5A
- 导通电阻（Rds(ON)）（在栅源电压（VGs） = 10V时） < 45mΩ
- 100%进行EAS测试
- 100%进行VVDs测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器