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AO4953
双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- AO4953 是一款 N 沟道增强型功率效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺特别有助于将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用的电源管理 DC - DC 转换器
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4953
- 商品编号
- C49012083
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.180567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V；36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
AO4953是采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道增强型功率效应晶体管。 这种高密度工艺尤其能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用电源管理DC-DC转换器。
商品特性
- -30V/-6.5A
- RDS(ON) = 36mΩ(典型值)@ VGS = -10V
- RDS(ON) = 50mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
- P沟道MOSFET
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理