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AO6800
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻高密度超低电阻设计。 2.5V栅极驱动。 低驱动电流。 封装形式：SOT-23-6
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO6800
- 商品编号
- C49011433
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 522.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74.69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 98.48pF |