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AO3416
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 3416 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的导通电阻 RDS(ON)。这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO3416
- 商品编号
- C49012073
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF |
商品特性
- 快速开关速度
- 高输入阻抗和低电平驱动
- 经过雪崩能量测试
- 改进的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 高效率开关电源
- 功率因数校正
- 电子整流器