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AO4480
N沟道 耐压:40V 电流:12.5A
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- 描述
- 特性：40V/12.5A。 RDS(ON) = 11.5mΩ（最大值）@ VGS = 10V。 RDS(ON) = 14.5mΩ（最大值）@ VGS = 4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：台式计算机或DC/DC转换器的电源管理
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4480
- 商品编号
- C49011969
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.201867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.125nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
SI2369BDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V, ID = - 9.5A
- 当VGS = - 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET