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AO4614B
N沟道+P沟道 60V 5A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4614B
- 商品编号
- C49011591
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V；33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V；16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF；450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF；35pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF；60pF |