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AO4430
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- N- 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件适合用作负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4430
- 商品编号
- C49011885
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1774克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V；6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.724nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 329pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 456pF |
商品概述
AO4953是采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道增强型功率效应晶体管。 这种高密度工艺尤其能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用电源管理DC-DC转换器。
商品特性
- -30V/-6.5A
- RDS(ON) = 36mΩ（典型值）@ VGS = -10V
- RDS(ON) = 50mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
- P沟道MOSFET
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理