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AO4838
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：30V/12A。 RDS(ON)=7.5mΩ (最大值) @ VGS=10V；RDS(ON)=11mΩ (最大值) @ VGS=4.5V。 100% UIS + Rg 测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：汽车充电器。 笔记本电脑电源管理
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4838
- 商品编号
- C49011889
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V；10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.395nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -8.5A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ。
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。