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AO4447A
-30V P沟道快速开关MOSFET
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- 描述
- P- Channel逻辑增强模式功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4447A
- 商品编号
- C49011589
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1992克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 506pF |
商品概述
4447A是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 该器件适用于作为负载开关,或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
商品特性
- -30V/-17A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 6.8mΩ(典型值)
- -30V/-7.0A,VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 9.6mΩ(典型值)
- 超高压设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/GA的高频负载点同步降压转换器
- 网络DC-DC电源系统
- 负载开关
- 笔记本电脑的电源管理