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AO8820
20V双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别针对最小化导通状态电阻进行了优化。这些器件特别适合在低压应用中使用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中具有低在线功率损耗。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO8820
- 商品编号
- C49011246
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF |
商品概述
8820是一款双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造，可提供出色的漏源导通电阻。 这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低线路功率损耗。
商品特性
- 20V/7.0A，栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻 = 12 mΩ（典型值）
- 20V/5.5A，栅源电压为2.5V时，漏源导通电阻 = 15 mΩ（典型值）
- 专为极低的漏源导通电阻而进行的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- TSSOP8封装设计
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统