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AO4616
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:8A 10A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4616
- 商品编号
- C49011183
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V；7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF；373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF；95pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF；140pF |
商品概述
AO4616采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 8 A(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 20mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 30 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)
- P沟道
- -30V
- -10A(栅源电压VGS = -10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ(栅源电压VGS = -10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 30mΩ(栅源电压VGS = -4.5 V)
- SOP-8L封装
- 100% 非钳位感性负载(UIS)测试
- 100% 栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理