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AGM40P25D
P沟道 40V 24A 31mΩ
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：24A功率(Pd）：40W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：31mΩ@10V,10A 栅极电荷（Qg@Vgs）19.3nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1021pF@25V ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P25D
- 商品编号
- C46610115
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.021nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63.6pF |
商品概述
AGM40P25D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,可实现快速开关
- 低热阻
- 100% 雪崩测试
- 100% DVDS 测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器