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AGMH6035A
N沟道 60V 125A 3.4mΩ
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：119W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.4mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：47nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2862pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH6035A
- 商品编号
- C46610121
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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