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AGMH6035A
N沟道 60V 125A 3.4mΩ
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：119W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.4mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：47nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2862pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGMH6035A
- 商品编号
- C46610121
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.862nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 796pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AGMH6035A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流-负载点应用-无刷直流电机驱动器