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AGM6805C
N沟道 68V 98A 5.2mΩ
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：68V 连续漏极电流(Id)：98A 功率(Pd)：111W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：76nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4723pF@34V ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM6805C
- 商品编号
- C46610126
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.818克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.723nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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