温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM6805C
N沟道 68V 98A 5.2mΩ
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：68V 连续漏极电流(Id)：98A 功率(Pd)：111W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：76nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4723pF@34V ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM6805C
- 商品编号
- C46610126
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.818克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.723nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 207pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AGM6805C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次侧同步整流-负载点应用-无刷直流电机驱动