AGM3P06EL
P沟道 60V 2.5A 90mΩ
- 描述
- 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.5A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@-10V,-3A 栅极电荷(Qg@Vgs):6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):315pF@-30V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM3P06EL
- 商品编号
- C46610133
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
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