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AGM3P06EL实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM3P06EL

P沟道 60V 2.5A 90mΩ

描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.5A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@-10V,-3A 栅极电荷(Qg@Vgs):6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):315pF@-30V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM3P06EL
商品编号
C46610133
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.5A
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
输入电容(Ciss)315pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)58pF

数据手册PDF

优惠活动

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