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AGM3P06E
P沟道 60V 2.5A 90mΩ
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@-10V,-3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.0nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：315pF@-30V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM3P06E
- 商品编号
- C46610132
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
AGM3P06E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 R\textDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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