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AGM1065M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM1065M

N+P沟道 100V 10A/9A 87mΩ/115mΩ

描述
类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):10A/-9A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):87mΩ@10V,6A;115mΩ@-10V,-6A ; 栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;11.1nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):845pF@40V;675pF@-40V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM1065M
商品编号
C46610129
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.146克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

    购买数量

    (3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个3000个/圆盘

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