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AGMH022P10A实物图
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AGMH022P10A

P沟道 100V 65A 14mΩ

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描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):65A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4276pF@40V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGMH022P10A
商品编号
C46610131
商品封装
PDFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@10V
输入电容(Ciss)4.276nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)336pF

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