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AGM035N10D
N沟道 100V 112A 4.5mΩ
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：112A 功率(Pd)：131W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：67nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3587pF@40V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM035N10D
- 商品编号
- C46610127
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 112A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 131W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.587nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.445nF |
商品概述
AGM035N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器