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AGM60P12D
P沟道 60V 70A 11mΩ
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：39nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2360pF@10V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P12D
- 商品编号
- C46610128
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 484pF |
商品概述
AGM60P12D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器