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AGM60P12D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM60P12D

P沟道 60V 70A 11mΩ

描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):70A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):39nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):2360pF@10V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM60P12D
商品编号
C46610128
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.406克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)70A
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
输入电容(Ciss)2.36nF
反向传输电容(Crss)9.4pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)484pF

数据手册PDF

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