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AGM60P130H
P沟道 60V 130A 5.5mΩ
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：130A功率(Pd）：180W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：5.5mΩ@10V,15A 栅极电荷（Qg@Vgs）85.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5550pF@30V ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P130H
- 商品编号
- C46610123
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.694克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 872pF |
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