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AGM308MAP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM308MAP

N+P沟道 30V 28A/-28A 8mΩ/12.5mΩ

描述
类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):28A/-28A 功率(Pd):24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A;12.5mΩ@-10V,-15A ; 栅极电荷(Qg@Vgs):21.5nC@10V;38nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):1078pF@15V;1452pF@-15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM308MAP
商品编号
C46610124
商品封装
PDFN3.3x3.3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.088克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)24W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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    (5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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