AGM308MAP
N+P沟道 30V 28A/-28A 8mΩ/12.5mΩ
- 描述
- 类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):28A/-28A 功率(Pd):24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A;12.5mΩ@-10V,-15A ; 栅极电荷(Qg@Vgs):21.5nC@10V;38nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):1078pF@15V;1452pF@-15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM308MAP
- 商品编号
- C46610124
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个5000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
