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AGM308MAP
N+P沟道 30V 28A/-28A 8mΩ/12.5mΩ
- 描述
- 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A/-28A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,15A;12.5mΩ@-10V,-15A ; 栅极电荷(Qg@Vgs)：21.5nC@10V;38nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1078pF@15V;1452pF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM308MAP
- 商品编号
- C46610124
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
AGM308MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器