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AGM1095MA
N+P沟道 100V 10A/13A 120mΩ/150mΩ
- 描述
- 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：10A/-13A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,6A;150mΩ@-10V,-6A ; 栅极电荷(Qg@Vgs)：25.4nC@10V;33nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：999pF@40V;1620pF@-50V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM1095MA
- 商品编号
- C46610122
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
AGM1095MA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS 测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器