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AGM602A
N沟道 60V 220A 1.9mΩ
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：224W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：91nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5100pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM602A
- 商品编号
- C46610116
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 224W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.131nF |
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