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AGM628M1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM628M1

N+P沟道 60V 6.0A/-4.2A 27mΩ/70mΩ

描述
类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6.0A/-4.2A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,6A;70mΩ@-10V,-3A ; 栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;11nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds):866pF@30V;1080pF@-30V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM628M1
商品编号
C46610118
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.142克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))44mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)866pF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)42pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

    购买数量

    (3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个3000个/圆盘

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