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AGM2025AP
N沟道 20V 115A 2.4mΩ
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：115A 功率(Pd)：69W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@4.5V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：70nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：5670pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) ；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM2025AP
- 商品编号
- C46610119
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 416pF | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
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