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IXFR36N60P-VB
N沟道650 V（D-S）超结MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXFR36N60P-VB
- 商品编号
- C45662497
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
商品特性
- 降低反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复峰值电流(IRRM)
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 因Qrr降低,开关损耗低
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)
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