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FDS6699S
30V, 21A, 30V N沟道 MOSFET 停产
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6699S
- 商品编号
- C467454
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 680pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的STripFET™ H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FoM）在同类产品中名列前茅。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用