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FDMC86260
1个N沟道 耐压:150V 电流:5.4A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86260
- 商品编号
- C462733
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻RDS(on)可确保最小的功率损耗并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 5.4 A时,最大rDS(on) = 34 m Ω
- 在VGS = 6 V、ID = 4.8 A时,最大rDS(on) = 44 m Ω
- 用于极低rDS(on)的高性能技术
- 100%通过UIL测试
- 引脚无铅
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换