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FDMC2674
1个N沟道 耐压:220V 电流:1A
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- 描述
- UltraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC2674
- 商品编号
- C462732
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 220V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 366mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UltraFET器件融合了多种特性，可在电源转换应用中实现卓越的效率。这些器件针对导通电阻（rDS(on)）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和米勒栅极电荷进行了优化，非常适合高频直流-直流转换器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 1.0 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 366 mΩ
- 在VGS = 10 V时，典型栅极电荷（Qg） = 12.7 nC
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷（Qrr）体二极管
- 高频下效率优化
- 具备非箝位感性开关（UIS）能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)-分布式电源架构