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FDD16AN08A0
1个N沟道 耐压:75V 电流:50A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，75 V，50 A，16 mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD16AN08A0
- 商品编号
- C462728
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.874nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
-国际标准封装-快速本征二极管-动态 dv/dt 额定值-雪崩额定值-坚固的 PolarP™ 工艺-低栅极电荷 (Qg) 和导通状态漏源电阻 (RDS(ON)) 特性-低漏极至散热片电容-低封装电感-易于驱动和保护
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-电流调节器-自动测试设备