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FDD5353
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A 电流:11.5A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5353
- 商品编号
- C462729
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V,10.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.215nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 50 A条件下，RDS(导通) = 13 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V条件下，Q_G(总) = 31 nC（典型值）
- 低米勒电荷
- 低Q_rr体二极管
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源