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FDD13AN06A0
1个N沟道 耐压:60V 电流:9.9A 电流:50A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，50A，13mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD13AN06A0
- 商品编号
- C462727
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 50 A条件下,RDS(导通) = 11.5 mΩ(典型值)
- 在VGS = 10 V条件下,QG(总) = 22 nC(典型值)
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 具备UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
-消费电器-LED电视-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源