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FGB20N60SFD-F085
FGB20N60SFD-F085
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止 IGBT 系列采用新的场截止 IGBT 技术，为汽车充电器、逆变器和其他需要低导通和开关损耗的应用提供最佳性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGB20N60SFD-F085
- 商品编号
- C462110
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.631克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 940pF | |
| 输出电容(Coes) | 110pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 10ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 310uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 130uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 111ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |