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FGH75T65SQDNL4
650V 150A
- 描述
- 此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 IV 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供卓越性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。另外，此新器件采用 TO?247?4L 封装，与标准 TO?247?3L 封装相比提供了明显的 Eon 损耗降低。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管，采用低正向电压。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH75T65SQDNL4
- 商品编号
- C462112
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 6.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输出电容(Coes) | 115pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@75mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 5.1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 59ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 354ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.82mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.86mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 134ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF |
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