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HGTG18N120BND
HGTG18N120BND
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTG18N120BND
- 商品编号
- C462125
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.779克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 54A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.7V@15V,18A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.9mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 75ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
HGTG18N120BND基于非穿通（NPT）IGBT设计。该IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，例如：不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机控制和电源。
商品特性
- 26 A，1200 V，Tc = 110°C
- 低饱和电压：VCE(sat) = 2.45 V（IC = 18 A时）
- 典型下降时间
- 短路额定值
- 低传导损耗
- 该器件无铅
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能逆变器
- 电机控制
- 电源